INFINEON F415MR12W2M1B76BOMA1
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INFINEON F415MR12W2M1B76BOMA1
Description
Description
El módulo mosfet de canal n de SiC es un componente esencial en la automatización industrial, diseñado para controlar la corriente en aplicaciones de alta potencia. Su principal valor radica en su fiabilidad, lo que permite un rendimiento constante y seguro en entornos exigentes.
Este dispositivo es comúnmente utilizado en sistemas de control numérico por computadora (CNC), líneas de producción automatizadas y robótica industrial. Su capacidad para manejar altas corrientes y voltajes lo convierte en una opción ideal para mejorar la eficiencia y la precisión en procesos industriales, reduciendo el riesgo de fallos en el sistema.
Especificaciones: id: 56504 | referencia: F415MR12W2M1B76BOMA1 | descripción: módulo mosfet de canal n de SiC | voltaje de fuente de drenaje máximo: 1200 V | corriente de drenaje continua máxima: 75 A | configuración de montaje: con tornillo | voltaje máximo de umbral de puerta: 5.55 V | paquete: ag-easy2b | elementos por chip: 4 | resistencia de fuente de drenaje máxima: 0,015 Ω.
Q: ¿Qué tipo de canal tiene este módulo? A: Este módulo es de canal n.
Q: ¿Cuál es el material del transistor? A: Está fabricado con material SiC muy duradero.
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