INFINEON IMW120R007M1HXKSA1
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INFINEON IMW120R007M1HXKSA1
Descripción
Descripción
Este dispositivo es un transistor de efecto de campo (FET) tipo N, fabricado con tecnología de carburo de silicio (SiC). Su principal función en la automatización industrial es actuar como un interruptor o amplificador en circuitos de potencia, ofreciendo alta fiabilidad y eficiencia en el manejo de cargas eléctricas. Su capacidad para operar en un amplio rango de temperaturas y su baja resistencia de encendido lo hacen ideal para aplicaciones exigentes.
Los usos típicos de este componente incluyen sistemas de control numérico por computadora (CNC), líneas de producción automatizadas y robótica industrial. Gracias a su alta capacidad de corriente y voltaje, permite un control preciso y eficiente de motores y otros dispositivos eléctricos, mejorando la productividad y reduciendo el consumo energético en procesos industriales.
Especificaciones: referencia IMW120R007M1HXKSA1 | número de pieza del fabricante imw120r007m1hxksa1 | valor htsus 8541.29.0095 | típico vgs (th) (max) 5.2v @ 47ma | rango de temperatura de funcionamiento -55°c ~ 175°c (tj) | paquete TO-247-3 | rds máximo encendido 9,9 mohm @ 108a, 18v | carga máxima de la compuerta 220 nc @ 18 v | cumple con RoHS3 | canal N tipo FET | voltaje de drenaje a fuente 1200 v | tasa vgs máxima +20v, -5v | nivel típico de sensibilidad a la humedad 1 (ilimitado) | disipación de potencia máxima 750w (tc) | capacitancia de entrada máxima 9170 nf @ 25 v | configuración de orificio pasante | paquete pg-to247-3 | drenaje de corriente continua a 25°c 225a (tc) | código ear99.
Q: ¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento de este dispositivo? A: El rango de temperatura de funcionamiento es de -55°c a 175°c.
Q: ¿Qué tipo de tecnología utiliza este transistor? A: Este transistor utiliza tecnología de carburo de silicio (SiC).
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